數(shù)日后，楊杰回到了潭州市，他剛回來(lái)就直接去了龍芯半導(dǎo)🏍體公司的實(shí)驗(yàn)室大樓。
“楊少，這是我們根據(jù)您提出來(lái)的堆棧技術(shù)有了新的想法，🎻對(duì)圖像傳感器進(jìn)行了重新設(shè)計(jì)，我們將原本需緊靠感光組件的電路部份置于感光組件的下方，這樣的做法可使整顆組件在同尺寸規(guī)格下得到更多的空間來(lái)獲得更大面積的感光范圍，之前大尺寸的圖像傳感器因?yàn)檎w面積過(guò)大，需要在組件下方加上一片基板來(lái)支撐整塊芯片，采用這種結(jié)構(gòu)后可以取🌺🔉消了這塊基板，大幅度減少了組件制作的復(fù)雜程度?！?br/>
負(fù)責(zé)圖像傳感器研發(fā)的韓成民🙏✅🤦說(shuō)道，他約莫五十來(lái)歲，之前一直在帝都大學(xué)負(fù)責(zé)CMOS圖像傳感器的研發(fā)，🔥😋🚬前年也加入了龍芯半導(dǎo)體公司，擔(dān)任了首席科學(xué)家。
韓成民加入團(tuán)隊(duì)后就提出了這個(gè)技術(shù)方案，也是得到了🏏📘楊杰的同意，經(jīng)過(guò)一年多的設(shè)計(jì)研發(fā)，現(xiàn)在也是流片了出➡🔴來(lái)。
技術(shù)團(tuán)隊(duì)通過(guò)測(cè)試后得到了大量的數(shù)據(jù)，證明這款芯片因?yàn)楦蟾泄?#127960;🥋范圍新技術(shù)所帶來(lái)更低信噪比、更好的畫(huà)質(zhì)表現(xiàn)甚至是♍更好的景深表現(xiàn)，這樣的📡🆙制程改進(jìn)也對(duì)動(dòng)態(tài)范圍表現(xiàn)的加強(qiáng)帶來(lái)正面的幫助，圖像傳感器的處理速度更快，功耗也大大地降低了。
“楊少，我們下一步還🕙🏩👟要對(duì)電路進(jìn)行優(yōu)化🚪📒，可以得到更高的處理速度，這樣可以得到至少六十幀每秒的處理速度?！?br/>
韓成民說(shuō)道。
“嗯，你們的技術(shù)路線是對(duì)的，另外為了提高圖像傳感器的靈敏度，我的想法是在在像素編碼技術(shù)上倒是可以再加入一個(gè)白色的子像素，形成RGBW四色像素，這樣在同環(huán)境下成像畫(huà)面更加明亮，低光噪點(diǎn)控制更好，🕯🔝得到的圖像遠(yuǎn)近景物層次強(qiáng)，色彩表現(xiàn)接近真實(shí)，細(xì)節(jié)更多，色彩還原可以更好?！?br/>
楊杰開(kāi)口說(shuō)道：“現(xiàn)在天馬科技公司已經(jīng)自開(kāi)始在顯示📢🗽屏上面也研發(fā)同樣的技術(shù)，這邊也要同步地開(kāi)始這方面的研發(fā)?！?br/>
“楊少，🚕⛄🚏增加一個(gè)💺🚻🌰白色像素的話會(huì)一定程度上損害分辨率……”
韓成民聽(tīng)到楊杰的這個(gè)技術(shù)方案后立馬就意識(shí)到了這個(gè)技術(shù)的優(yōu)越性，通過(guò)加入白色子像素，能夠更精準(zhǔn)地調(diào)節(jié)單個(gè)像素點(diǎn)的色彩濃度和亮度，增加過(guò)渡🌼➖👗色的同時(shí)，使層次更加分明，顏色更豐富，細(xì)節(jié)表現(xiàn)更到位。同時(shí)這個(gè)技術(shù)可以大大地提高了圖像的亮度，幾乎可以達(dá)到原先圖像傳感器的1.5倍，可呈現(xiàn)鮮明、干凈的畫(huà)質(zhì)🍵，也正是這樣，在同等亮度下，傳感器的功耗也大大地下降了。
不過(guò)這🏇個(gè)技術(shù)的缺點(diǎn)是同等尺寸下的芯片多出了白色像素點(diǎn)，分辨🕵🎱🙄率肯定是要下降的。
“這個(gè)你們?cè)谠O(shè)計(jì)像素編碼跟信號(hào)🤟電路的時(shí)候要多想些辦法，盡量地在不損害圖像質(zhì)量的基礎(chǔ)上提升靈敏度?！?br/>
楊杰也不會(huì)大包大攬地🖱想出一些具體的解決辦法♌🤑，很多具體的事情還需要下面的技術(shù)人員去想辦法。
“是，楊少?！表n成民倒是不♌🔗會(huì)嫌老板給技術(shù)團(tuán)隊(duì)加任務(wù)，反正老🌔板提的要求越多，他越高興，公司給的研發(fā)經(jīng)費(fèi)🕉💼🕶越多。
楊杰隨后回到了岳泰市視察了西門(mén)康公司分部，同時(shí)也視察了西門(mén)康生產(chǎn)基地，生產(chǎn)基地包括一座晶圓廠，這座晶圓廠已經(jīng)進(jìn)行過(guò)設(shè)備和技術(shù)升級(jí)，現(xiàn)在這座專門(mén)用來(lái)生產(chǎn)功率功率模塊的晶圓廠有三條生產(chǎn)線，其中兩條用來(lái)生產(chǎn)各種規(guī)格的半🌇導(dǎo)體功率器件、IGBT功率模塊、可控硅等，還有一條正在研發(fā)氮化鎵功率器件的實(shí)驗(yàn)生產(chǎn)線。
西門(mén)康公司之前在碳化硅跟氮化鎵材料技術(shù)⏳✌上有技🚙🛠🛡術(shù)儲(chǔ)備，楊杰對(duì)氮化鎵器件頗為重視，也是招募了一批國(guó)內(nèi)的技術(shù)專家聯(lián)合西門(mén)康的技術(shù)工程師一同研發(fā)氮化鎵器件的制造工藝跟新材料。
其實(shí)國(guó)內(nèi)對(duì)氮化鎵器件在軍事上的用途早就開(kāi)始了研發(fā)工作，已經(jīng)能制作出高純度的氮化鉀🥗🏥⏬晶體，也利用氮化鎵晶體制造出了氮化鎵晶體管，不過(guò)主要用在了軍事用途中，😻包括雷達(dá)，衛(wèi)星，通信和電子戰(zhàn)系統(tǒng)，同時(shí)這方面的技術(shù)人才也很多，楊杰也是找到了幾名專家組成了一支團(tuán)隊(duì)。
楊杰深知氮化鎵技術(shù)的主要應(yīng)用焦點(diǎn)是微波和毫米波功率放大器上，單個(gè)放大器可以達(dá)到幾十瓦的功率❄水平，數(shù)個(gè)放大器進(jìn)行🗝🎍🎭配置后功率達(dá)到數(shù)百甚至數(shù)千瓦特都是可能的，使用氮化鎵放大器的🚜🌭💐話可大大地縮小天線的體積。
雖然現(xiàn)在這些硅晶管可以提供提供了數(shù)百⭕、上千瓦的功率水平，但是這些器件不能在6GHz以上的頻率使用🕥🚬。
華興通信設(shè)備公司的這些通信專家們?yōu)榱俗畲笙薅鹊靥岣邤?shù)據(jù)的傳輸速率，挖空心🚴思地提高載頻頻率，現(xiàn)在WLAN通信網(wǎng)絡(luò)的頻段在2.4GHz上下，但是要把傳輸速率提高到數(shù)倍的話，那么需要將載頻頻率也要相應(yīng)地提高數(shù)倍，早就超過(guò)了硅晶管的最大的頻率限制。
這個(gè)時(shí)候就只能使用氮化鎵晶體管器件了，氮化鎵晶體管器件可以在3⏩🏥✴0⛄🕝GHz💻🏂或更高的頻率上輕松提供數(shù)十到數(shù)百，甚至數(shù)千瓦的功率。
華興集團(tuán)公司主要的業(yè)務(wù)是通信設(shè)備和技術(shù)服務(wù)商，這么重要的技術(shù)自😽然是要早早地進(jìn)👴🌪🥐行布局。
對(duì)于功率轉(zhuǎn)換，氮化鎵器件也有相當(dāng)大的優(yōu)勢(shì)，氮化鎵晶體🐦🆖管開(kāi)關(guān)是高電壓操作，因此是大功率轉(zhuǎn)換器和其🎆他開(kāi)關(guān)模式電路的理想選擇，因?yàn)榈壘w管耐熱的程度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于硅晶管，比如在高溫環(huán)境下，氮化鎵晶體管制造的器件可以代替IGBT，而因?yàn)榈壍牟牧系乃€具有高電子遷移率，器件可以可以實(shí)現(xiàn)更小尺寸，更有效和耐熱的電路。
另外用氮化💖鎵技術(shù)制造出來(lái)的激光二極管工作壽命非常長(zhǎng)，超過(guò)了10000個(gè)小時(shí)，愛(ài)華科技公司和⛳🍱帝都激光物化所合作生產(chǎn)的藍(lán)光二極管就是使用的氮化🛂✖鎵材料。
中原汽車公司現(xiàn)在正在和激光物化所合作研發(fā)激光雷達(dá)，準(zhǔn)👑🎽🗨備以后是要用在自動(dòng)駕駛技術(shù)上面的，現(xiàn)在還是處在實(shí)驗(yàn)室階段。
不過(guò)就算激光雷達(dá)取得了成果后，激光雷達(dá)系統(tǒng)偵測(cè)的資料的質(zhì)素，包括資料的準(zhǔn)確性、精確度及制作速度都是需要高速低脈寬的脈沖大電流驅(qū)動(dòng)，而用氮化鎵晶體管剛好🗂💽⏩可以滿足這一點(diǎn)。
激光雷達(dá)是自主駕駛技術(shù)的核心關(guān)鍵技術(shù)，🍶🔔楊杰自然是非常重視，在他視察的過(guò)程中也是詳🍿💉細(xì)地了解了氮化鎵材料、制造工藝、加工設(shè)備等方方面面的技術(shù)細(xì)🔳🌼節(jié)。
不過(guò)現(xiàn)階段來(lái)說(shuō)氮化鎵材料🎴📴👧的制備👒🖥🤯跟制造工藝跟加工設(shè)備各個(gè)方面都是有這樣那樣的問(wèn)題，進(jìn)展很不順利。
楊杰也是好生勉勵(lì)了這些技術(shù)團(tuán)隊(duì)一番，研發(fā)過(guò)程中哪會(huì)有那么順利的，總會(huì)碰到各種各樣的🗃🚚問(wèn)題，要做的就是花時(shí)間花精力一個(gè)問(wèn)題一個(gè)問(wèn)題地去解決。
他對(duì)氮化鎵😹🔧的技術(shù)的前景是非?？春玫?，對(duì)此也有足夠🐚🏦🍰的耐心。
氮化鎵技術(shù)的缺點(diǎn)是成本很高，這也是也是因?yàn)檫@方面器件的🏀產(chǎn)量非常少，使用量也🐏👌🏴🎎🆙非常少，供應(yīng)商都是處在觀望的狀態(tài)。
隨著數(shù)量的進(jìn)一步增加，生🤲🦂👴產(chǎn)成本肯定會(huì)下降，不過(guò)最后還是會(huì)高于高于CMOS工藝成本的水平。
自上個(gè)世紀(jì)60年代以來(lái)，半導(dǎo)體行業(yè)一直在追捧摩爾🚬🌞定律，不過(guò)硅晶管特征尺寸達(dá)到了材料中的原子大小是最終的限制，到后面最后全世界就只剩😷🏢🙂下數(shù)家最大和設(shè)備齊全的半導(dǎo)體廠商才可以基于更小的幾何尺寸開(kāi)發(fā)芯片。
到時(shí)候硅產(chǎn)品將繼續(xù)存在，汽車電子和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備市場(chǎng)、手機(jī)行業(yè)仍然需要標(biāo)😜🐰準(zhǔn)芯片以及速度更快的芯片，到時(shí)候更多的新材料、新工🕍🍶藝將被采納，而氮化鎵、石墨烯這些材料也是種子選手之一。
到時(shí)候就看誰(shuí)在🥒🍈📉這些材料上有重大的技😷術(shù)突破了。